激光二极管是上世纪60年代发明的一种光源半导体激光器,激光二极管,又称镭射管(Laser Diode)。LASER是取'Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation(基于受激发射的光放大)'的首字母组成的缩写单词,通常简称为LD。由于可产生波长及相位等性质完全一样的光,因此相干性高是其特点。
激光二极管的发光原理:激光二极管中的P-N结由两个掺杂的GaAs层形成。它有两个平端结构,平行于一端镜像(高度反射面)和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时,电子通过结而移动,并像普通二极管那样重新组合。当电子与空穴复合时,光子被释放。这些光子撞击原子,导致更多的光子被释放。随着正向偏置电流的增加,更多的电子进入耗尽区并导致更多的光子被发射。较终,红光激光二极管,在耗尽区内随机漂移的一些光子垂直照射反射表面,从而沿着它们的原始路径反射回去。反射的光子再次从结的另一端反射回来。光子从一端到另一端的这种运动连续多次。在光子运动过程中,由于雪崩效应,更多的原子会释放更多的光子。这种反射和产生越来越多的光子的过程产生非常强烈的激光束。在上面解释的发射过程中产生的每个光子与在能级,相位关系和频率上的其他光子相同。因此,发射过程给出单一波长的激光束。为了产生一束激光,必须使激光二极管的电流**过一定的阈值电平。低于阈值水平的电流迫使二极管表现为LED,发出非相干光。
850nm 10mw红外激光二极管 QSI激光二极管
激光二极管品牌:QSI
输出波长:850nm
功率:10mw
温度:-10~60度
封装:TO-18
★我们可以提供主要有以下型号:
635nm/5-20mW,650nm/5-100mW,685nm/10-30mW,
780nm/3-10mW,808nm/200-500mW,830nm/10-30mW,
905nm/5-10mW,940nm/50-200mW。等等
QSI激光二极管中国地区总代理,主要为国内的客户提供QSI的原厂产品和技术支持。同时也研发激光类应用产品和其他电子产品。秉承一贯的服务理念和精神为客户提供更好的产品信息,行业动态,技术支持。同时QSI激光二极管被越来越多地作为下一代高科技行业的核心器件。
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在讲激光产生机理之前,先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程,
一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为自发辐射;
二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为受激辐射;
三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。
自发辐射,即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子,它们发出光的相位、偏振状态、发射方向也可能不同,但受激辐射就不同,当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁,发出在频率、相位、偏振状态等方面与外来光子完全相同的光。在激光器中,发生的辐射就是受激辐射,它发出的激光在频率、相位、偏振状态等方面完全一样。任何的受激发光系统,635激光二极管,即有受激辐射,也有受激吸收,只有受激辐射占优势,才能把外来光放大而发出激光。而一般光源中都是受激吸收占优势,只有粒子的平衡态被打破,使高能态的粒子数大于低能态的粒子数(这样情况称为离子数反转),才能发出激光。
产生激光的三个条件是:实现粒子数反转、满足阈值条件和谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转,在半导体中就是要把价带内的电子抽运到导带。为了获得离子数反转,通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结,这样,在外加电压作用下,在结区附近就出现了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子,而在低费米能级EFV以上的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件,但不是充分条件。要产生激光,还要有损耗小的谐振腔,谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜,激发物质所发出的受激辐射光在两个反射镜之间来回反射,不断引起新的受激辐射,使其不断被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗,即满足一定的阈值条件。
QSI激光二极管中国区域总代理,保证品质,原装进口。原厂*,18年光电行业相关经验,产品通过ROHS,美国FDA认证。
产品涵盖全波段 :275-940 其中包括:紫光,蓝光,绿光,红光 ,红外,功率:3mW-75W,保证原装,品牌保证。凭借20年对中国市场的熟悉以及15年的光电行业相关经验,目前已在光电行业建立一个坚定的市场。
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产品应用:
TOF技术的原理就是用一个发射向物体发射激光,再由一个传感器接收反射回来的激光信号,然后再根据光线往返的时间来计算物体与手机之间距离,从而可以确定反射点。当发射的激光足够多的时候,所有的点就能连成一个立体面。