镭射激光模组-激光模组-QSI(查看)

       激光二极管工作原理：激励方式，利用半导体物质(即电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡，反馈、产生光的辐射放大，十字激光模组，较终输出激光。

      由此可见，激光二极管是由于受激辐射才能发出波长单一的激光，与此同时也会产生热量:随着LD通电开始正常发光，LD本身的温度也会随之增加于LD本身的材料特性，当温度升高时半导体激光二极管的发光效率会随之下降，这样会导致激光二级管的光功率下降，如果不对此进行控制，产品的品工作就不稳定。

      为了让激光二极管稳定工作，通常在半导体激光二极管内部增加光敏二极管（PD），通过检测PD的工作电流Im来了解LD的工作情况。实际应用LD的时候，通常使用一个恒功率控制电路(APC)让激光管内部的PD能够对LD的工作起负反馈作用。此电路以QSI品牌的650nm10mw激光二极管为例。

QSI激光二极管中国区域总代理，保证品质，原装进口。原厂*，18年光电行业相关经验，产品通过ROHS，美国FDA认证。

产品涵盖全波段 ：275-940 其中包括：紫光，蓝光，绿光，红光 ，红外，功率：3mW-75W，保证原装，品牌保证。凭借20年对中国市场的熟悉以及15年的光电行业相关经验，目前已在光电行业建立一个坚定的市场。

我们可以提供主要有以下型号：

　　635nm/5-20mW，650nm/5-50mW，685nm/10-30mW，780nm/3-90mW，808nm/200-1W，830nm/10-30mW，

　　905nm/10-200mW，940nm/50-200mW。等等

产品应用：

      TOF技术的原理就是用一个发射向物体发射激光，再由一个传感器接收反射回来的激光信号，然后再根据光线往返的时间来计算物体与手机之间距离，从而可以确定反射点。当发射的激光足够多的时候，所有的点就能连成一个立体面。

     QSI激光二极管成立于2000年 .2004年出口额达到1200万美元. 2014年被**评为“技术创新公司”QSI凭借丰富的专业知识和经验、先进的产品设计能力和先进的生产设备，可以独立的处理包括EPI、FAB和PKG等，为世界提供解决方案，迅速响应客户的需求和需求，赢得了世界的盛誉，产品更是**全世界。

QSI激光二极管生产的激光扫描测距雷达是一款低成本360度二维激光雷达(LDAR)，基于三角测距原理，采用全新光磁融合技术，配以*特光学、算法**技术，可实现二维平面6米半径内，360度全位高精度的实时获取距离、角度等信息，产生环境点云地图信息，应用于机器人定位导航测绘、物体环境建模等方面。

激光雷达产品特性：

误差小，精度高，稳定性好

功耗低，寿命长，电机转速可调

中抗光干扰能力强

激光功率符合 Class I，达人眼安全级别

　　635nm/5-20mW，780激光模组，650nm/5-50mW，685nm/10-30mW，780nm/3-90mW，808nm/200-1W，830nm/10-30mW，

　　905nm/10-200mW，940nm/50-200mW。等等

半导体五大特性∶电阻率特性，导电特性，光电特性，镭射激光模组，负的电阻率温度特性，整流特性。

　　★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

　　★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

　　晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

　　共价键结构：相邻的两个原子的一对较外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

　　自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

　　空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

　　电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

　　空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。

　　本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。

　　载流子：运载电荷的粒子称为载流子。

　　导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

　　本征半导体电的特点：本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。

　　本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

　　复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。

　　动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

　　载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

　　结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。

　　杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，可得到杂质半导体。

　　N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

　　多数载流子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，称为多数载流子，激光模组，简称多子。

　　少数载流子：N型半导体中，空穴为少数载流子，简称少子。

　　施子原子：杂质原子可以提供电子，称施子原子。

　　N型半导体的导电特性：它是靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

　　P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

　　多子：P型半导体中，多子为空穴。

　　少子：P型半导体中，少子为电子。

　　受主原子：杂质原子中的空位吸收电子，称受主原子。

　　P型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。